次世代半導体デバイスのソフトエラー耐性評価・向上プロジェクトをまとめます
業務内容
次世代半導体デバイス開発が2022年の日本で国・大企業を中心に進められています。
半導体デバイスの地上における中性子ソフトエラーは20世紀末、CMOSデバイスを中心に世界中で歴史的な大問題になりました。
本プロジェクトの提案者らの理論解析、中性子照射実験などにより、現象解明・対策立案・実験検証により、この問題は21世紀初頭にほぼ解決し、各方面から絶大な評価を受けましたが、あくまでも微弱な大気圏内の宇宙線陽子線から発生した中性子線の問題でした。
次世代半導体デバイスでは、デバイスの構造や、材料、動作原理などが大きくかわることが想定されますが、地上や、月・火星の宇宙ビジネスにまで用いられるようになれば、中性子、陽子によるソフトエラー問題が再燃する可能性があり、しっかり備えておく必要があります。
月や、火星でのアルテミス計画では、猛烈なエネルギーフラックスの陽子線の対策が真剣に考えらえているとは到底思えません。低エネルギー中性子線問題になる原子炉では、低エネルギー中性子線を水やパラフィンで減衰するのが当たり前の技術ですが、高名な科学者の方でも、月表面で、氷のかたまりで陽子を減衰できると、堂々と公表されるかたがいます。
まったく幼稚な間違いです。背景に地球は守るべき故郷でなく、新しい住処を探すべきという主張すらあります。あなたは、地球人として、賛成できますか?
月や、火星や、宇宙ビジネスでは、全く新しい常識を構築する必要があります。
今、宇宙ビジネスは本当に危険なスタートポイントにあって、夢を追う人が圧倒的多数です。
ご意見をともにしできる方を探しています。
- ビジネスタイプ
- スタートアップ 大企業
- 目的
- パートナーシップ・ジョイントベンチャー